O_2+H_2O等离子下游式的无钠沾污去胶工艺

通过对偏置应力处理后的MOS二极管平带电压漂移测量及去胶后的SiO2层中钠数量的原子吸收光谱测量，我们对O2＋H2O等离子下游式（downstream）去胶对光刻胶钠沾污的影响进行了研究。用该方法去胶后，MOS二极管的平带电压漂移几乎与没有光刻胶，但亦用该方法处理的样片结果一样。比用其它方式，如O2等离子体和O2下游式等离子体去胶后的漂移少。另外，用该方法去胶后SiO2神食Na量几乎与生长的SiO2层中的含量一样，这种方式的Na钝化作用在H2O对占40％—60％间最为有效。在200℃以下时与硅片温度无关，与过量去胶时间也无关。这些结果与我们最初的有关Na钝化的设想一致，即由O2＋H2O等离子体产生的OH基及其与Na的下游反应阻止了Na侵入SiO2层。