一种15ns的1兆位CMOS SRAM

我们研制了一种256k字×4位结构体1兆位CMOS静态存贮器，它的制造是采用0．8μm双层多晶、双层铝、双阱CMOS工艺技术。其单元尺寸小：5．2μm×8．5μm，芯片尺寸为6．15mm×15.21mm。通过采用新的电路技术，得到了15ns的快速存取时间。该技术为。一个PMOS负载译码器，一个三级动态增益控制读出放大器，并结合补偿技术及反馈电容技术。电路的动态电流较低，在20MHz时为50mA，静态电流也低，对TTL为15mA，而CMOS则为2μA。