高压氧化技术在nMOS工艺中的应用

要减小VLSI器件中的结漂移，需要较低的工艺温度。本文概述了高压氧化技术在MOS器件制造中的应用。本文描述了氧化的动力学。说明了高压氧化在MOS各氧化工序中的应用，包括场氧、栅氧、隔离氧化等；讨论了一种有广泛潜在用途的工艺，源漏注入后的多晶氧化；对高压退火也进行了探讨。