期刊文献+

双极型晶体管直流模型参数提取的局部优化方法 被引量:2

Local Optlmization for Bipolar D.C.Parameter Extraction
下载PDF
导出
摘要 采用SPICE进行电路模拟时,获取适用的晶体管模型参数是非常重要的,它将直接影响电路模拟的精度。提取模型参数的方法有分段直接提取法、整体优化法以及局部优化法。前两种方法有其各自的缺点,局部优化法针对使用它们可能遇到的问题做了改进。本文针对双极型晶体管直流模型参数的提取,详细介绍了一种局部优化方法,经过使用,能够达到满意的精度。 For accurate SPICE circuit simulation,it is important to obtain applicable transistor parameters.There are three major methods for modeling parameter extraction,i.e.direct extrac-tion,global optimization and local optimization.The first two methods have some defects,which are diminished in the latter.Based on the extraction of bipolar D.C.parameters.In the paper,a method of local optimization is presented,which has been used to extract D.C. bipolar parameters,and satisfying results have been achieved.
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第2期49-54,共6页 Microelectronics
关键词 双极晶体管 参数提取 优化设计 CAD 集成电路 Bipolar transistor,Parameter extraction,Optimal design,IC CAD
  • 相关文献

同被引文献16

  • 1吴庆国,居悌.晶体管模型参数提取的一种新方法[J].南京邮电学院学报,1989,9(4):92-101. 被引量:1
  • 2Peter Blair.双极晶体管的进步[J].电子产品世界,2004,11(12B):91-92. 被引量:1
  • 3李垚,沈克强,魏同立.低温双极晶体管的正向渡越时间研究[J].固体电子学研究与进展,1995,15(1):26-32. 被引量:1
  • 4[1]UTMOST III Extraction Manual [Z]. Bipolar Device Modeling Routines. Silvaco International Inc. 1997.
  • 5[2]Ingvarson F, Jeppson K O. Parameter extraction for bipolar transistors [J]. Microelectronic Engineering,1998;40(3-4): 187-194.
  • 6[3]Corsi F, Di Ciano M. DC characterization of lateral bipolar devices in standard CMOS technology: a new model for base current partitioning [J]. Solid-State Electronics,1999; 43(5): 883-889.
  • 7[4]Toker A. A novel measurement method for extraction of the base resistance in the BJT [J]. Microelectronic J, 1999; 30(1 ) . 41-44.
  • 8熊俊俏,戴丽萍,刘海英.双极型三极管EM模型与GP模型分析和应用[C]//全国高等学校电子技术研究会论文集,2010,20:52-59.
  • 9Steven M Sandier,Charles Hymowitz SPICE.电路分析[M].北京:科学出版社,2007.
  • 10陈星弼,张淡中晶体管原理[M],北京:电子工业出版社,2007.

引证文献2

二级引证文献2

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部