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高频互补双极工艺探析 被引量:2

Examination of the High-Frequency Complementary Bipolar Process
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摘要 本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极(CB)工艺作了一粗略分析。并结合作者在CB工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平,提出了两种在现有技术条件下可以实现的CB工艺。 Complementary bipolar(CB) processes used for high-speed op-amp IC's are examined in the paper.To accord with the existing equipments and technical conditions,two practical CB processes are proposed based on the related experiment.
机构地区 电子工业部第
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第5期14-18,共5页 Microelectronics
关键词 互补双极工艺 集成电路 离子注入SOI Complementary bipolar process, IC process, Operational amplifier, Ion-implanted SOI
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