摘要
本文对目前国内外制作高速集成运算放大器新采用的互补双极(CB)工艺作了一粗略分析。并结合作者在CB工艺方面的实验和国内当前工艺和设备水平,提出了两种在现有技术条件下可以实现的CB工艺。
Complementary bipolar(CB) processes used for high-speed op-amp IC's are examined in the paper.To accord with the existing equipments and technical conditions,two practical CB processes are proposed based on the related experiment.
出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1995年第5期14-18,共5页
Microelectronics
关键词
互补双极工艺
集成电路
离子注入SOI
Complementary bipolar process, IC process, Operational amplifier, Ion-implanted SOI