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电场增强载流子产生中产生电流与宽度的关系

On the Relationship Between Generation-Current and Generation-Width in the Field-Enhanced Carrier Generation
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摘要 研究了深能级中心电场增强载流子产生现象,得到的产生电流与产生宽度的理论关系,能较好地与实验结果相符合。 The effect of field- enhanced carrier generatioin in deep-level centers is studied.Theo-retically,the relation between generation-current and generation-width is derived,which is in good agreement with experimental results.
出处 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第6期56-58,共3页 Microelectronics
基金 硅材料国家重点实验室资助项目
关键词 半导体物理 MOS电容器 载流子产生 Semiconductor physics,MOS capacitor,Carrier generation
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