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256MDRAM时代的离子注入机

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摘要２５６ＭＤＲＡＭ时代的离子注入机村上隆志，高桥武人，川崎洋司随着ＤＲＡＭ器件高密度的发展，对离子注入机提出了更高的要求，离子注入技术为适应这种需求也迅速发展起来。ＤＲＡＭ各个时期的设计尺寸、圆片尺寸、离子注入技术的发展过程如图１所示。近几年来，中束流...

作者吴明华

出处《微细加工技术》 1995年第1期71-74,共4页 Microfabrication Technology

关键词离子注入机 DRAM 平行束扫苗

分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学]

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微细加工技术

1995年第1期

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