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多孔硅发光机理的新探索 被引量:7

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摘要 自从90年代初次发现多孔硅发射可见光的现象以来,人们在其发光机理和可能的技术应用上作了许多工作,而发光机理则是开发实用器件的重要前提。该文在对当前研究动态作介绍之后,分析了一个涉及载流子在约束态和表面态之间转移的综合的多孔硅发光模型,并在研究固态接触的多孔硅发光二极管结构的瞬态特性之后,提出了载流子注入、约束和复合机理的定性假设。
作者 俞鸣人 王迅
出处 《物理》 CAS 北大核心 1995年第4期212-217,232,共7页 Physics
  • 相关文献

参考文献5

  • 1Chen Z,Appl Phys Lett,1993年,62卷,708页
  • 2Hou X Y,Appl Phys Lett,1993年,62卷,1097页
  • 3Zhang S,Appl Phys Lett,1993年,62卷,642页
  • 4王迅,Appl Phys Lett,1993年,63卷,2363页
  • 5Fu Huaxiang,Phys Rev B,48卷

同被引文献49

引证文献7

二级引证文献9

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