现有光刻技术改进后可以制造线宽为0．13μm的集成电路

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摘要现有光刻技术改进后可以制造线宽为０．１３μｍ的集成电路１９９５年美国《固态技术》２月号和３月号连续发表文章，认为现有光刻技术经过改进，可以沿用到２００４年，用来制造线宽为０．１３ｕｍ的集成电路。随着集成电路的飞速发展，１９９５年光刻技术达到的最小线宽...

作者吴自勤

出处《物理》 CAS 北大核心 1995年第11期703-703,共1页 Physics

关键词光刻集成电路板窄线宽

参考文献1

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物理

1995年第11期

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