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用反向补偿原理解决硅CVD外延自掺杂效应
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摘要
对自掺杂机理进行了分析研究，并采用逆向补偿原理￣［１］对吸附－解吸、滞流后静态－动态转换等进行了工艺优化及技术简化，在通常条件下有效地控制了自掺杂。
作者
刘玉岭
金杰
徐晓辉
机构地区
河北工学院
出处
《稀有金属》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第5期373-376,383,共5页
Chinese Journal of Rare Metals
关键词
硅
CVD
外延
自掺杂
半导体
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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稀有金属
1995年 第5期
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