摘要
在国外GaAsT/R组件研究基础上,结合我们开展的有关GaAsFET微波控制器件的研究课题,探索了在国内现有GaAs生产工艺水平下研制GaAsT/R组件的可能性,并简单地描述了GaAsT/R组件的特点。给出了所研究GaAsFET微波控制器件的实验结果、计算机仿真曲线和部分GaAs微波器件的实物照片。
on the basis of research on GaAs T/R modules and GaAs FET microwave con-trolling components, tbe probability of GaAs T/R modules′ productivity based on the existing GaAs technology is discussed.The ptoperty of GaAs microwave controlling components is also giV-en.Experiment results ,simulating data and photograph of GaAs components are shown.
出处
《现代雷达》
CSCD
1995年第5期80-85,共6页
Modern Radar
基金
电科院资助