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MPNIM结构光致变电容效应

Optical Activation Change Capacitance Effect of MPNIM Structure
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摘要 木文报告了作者之一首先发现的MPNIM(金属-P型半导体-N型半月比-绝缘体-金属)结构的光致变电容效应。基于该效应已研制出新器件:半导体双向光控变容器.新器件的电容值与入射光强的关系,光谱响应特性,频率特性,C-V特性,温度特性已被研究. Optical activation change capacitance (OACC) effect of Metal-p/n Semiconductor-Isolator-Metal (MPNIM) structure discovered first by one of the authers has been reported in thispaper.Based on this effect,a bidirectional optical control varactor has been developed.Therelation of capacitance value of new devices to amplitude and wavelength variations of the in-cident optical radiation,the influence of temperature,C-V characteristics and influence ofmeasure frequency have been studied.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期419-425,共7页 半导体学报(英文版)
基金 国家自然科学基金
关键词 光致变电容 光敏元件 MPNIM 结构 Optical activation change capactance Optical sensors Multivalued devices Specific varactor
  • 相关文献

参考文献2

  • 1任明善,第三届全国光电技术与系统学术会论文集,1988年
  • 2朱长纯,西安交通大学学报,1987年,21卷,125页

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