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提高考夫曼型离子源束流密度的研究
被引量：
3
A Study on Raising the Ion Beam Density of the Kaufman Ion Source
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摘要
本文依据金属的索未菲自由电子模型的量子统计理论结果，对提高考夫曼型离子源束流密度进行了研究，取得了一些有价值的结果。
in this paper,a study on raising the ion beam density of the Kanfman ion source isreported. Some useful results are obtained.
作者
赵光兴
杨国光
陈洪璆
机构地区
浙江大学光科系
出处
《真空电子技术》
北大核心
1995年第5期13-16,共4页
Vacuum Electronics
关键词
考夫曼离子源
束流密度
微光学元件
离子束刻蚀
Kaufman ion source,lon beam density
分类号
TN101 [电子电信—物理电子学]
TN405.982 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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