摘要
CeO_2改性的SrTiO_3陶瓷采用传统的陶瓷工艺制备。SrTiO_3基质与CeO_2按化学式SrTiO_3+x(CeO_2nTiO_2)配比[x(wt%)分别为2、5、10、15、20、25和30]。样品在1400℃下烧结1h。Ce在SrTiO_3陶瓷中起施主杂质作用。扫描电镜形貌分析和X射线物相观察表明,在此种陶瓷中有Ce_2O_3第二相即玻璃相存在,并对毒害SrTiO_3陶瓷半导体化的杂质有固溶性质;同时,Ce_2O_3第二相还具有减薄晶粒表面氧化层的作用,从而增加了晶粒电导特性。在室温下,CeO_2改性的半导体SrTiO_3陶瓷具有畸变的立方结构。
出处
《中国稀土学报》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第3期230-233,共4页
Journal of the Chinese Society of Rare Earths