半导体3—D磁敏器件的设计与分析
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1沈克强.CMOS磁敏器件的研究[J].传感器技术,1995,14(5):11-14.
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2赵熙萍,陈丽艳,多宝庆,李树林.磁敏晶体管漂移特性测试装置[J].电测与仪表,1995,32(5):23-24.
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3王海笑,朱长纯.真空微电子磁敏传感器的研究[J].电子器件,1994,17(3):116-119. 被引量：1
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4韩峰岩,徐启华.磁敏二极管的数值模拟[J].Journal of Semiconductors,1990,11(12):931-936. 被引量：1
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5叶启明.霍尔器件的检测方法[J].家电检修技术,2008(9):47-47.
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6下野次男,文汉.ULSI半导体工艺用药品[J].电子材料（机电部）,1991(8):6-12.
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7王宇,王珏,方利江.全媒体融合下的电视中心工艺设计[J].广播与电视技术,2016,43(10):30-35. 被引量：1
-
8徐增禧.半导体器件工艺用的气体[J].微电子学,1989,19(1):80-85.
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9于新.磁敏晶体管射极跟随电路介绍[J].家电检修技术,2009(9):46-46.
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10黄得星.磁敏感技术(下)[J].物理通报,1994(9):35-36.
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