夏普蓝紫激光器室温连续振荡获成功

下载PDF

导出

摘要夏普欧洲研发基地——英国夏普欧洲研究所使用名为分子束外延（MBE）法的结晶生长技术，试制了类GaN蓝紫色半导体激光器，成功地在室温下产生连续振荡。该所于2004年在全球首次成功利用MBE法结晶生长技术在室温下产生了脉冲振荡，此次成果仍为世界首创。与蓝紫色半导体激光器生产中常用的有机金属化学气相生长（MOCVD）法相比，

出处《光机电信息》 2005年第8期30-30,共1页 OME Information

关键词半导体激光器振荡室温夏普化学气相生长生长技术分子束外延 MBE法有机金属

分类号 TN248.4 [电子电信—物理电子学] TM711 [电气工程—电力系统及自动化]

引文网络
相关文献

1晓晔.MBE法在GaAs{111}衬底上生长CdSe[J].电子材料快报,1998(11):16-17.
2庶民.MBE法生长SiC[J].电子材料快报,1998(11):17-18.
3敏键.MBE法在GaAs上生长CdTe的择优取向[J].电子材料快报,1996(8):2-2.
4苏宇吹.用MBE法在Si异质结上生长Si1—xGex[J].电子材料快报,1998(7):15-16.
5采用MBE法夏普首次实现蓝紫色激光器[J].光盘技术,2004(1):26-26.
6朱顺才.MBE法生长的调制掺杂GaAs／Al＿xGa＿（1－x）As异质结构材料的输运特性研究[J].半导体情报,1995,32(1):37-41.
7晓晔.MBE法生长高质量HgCdTe／GaAs（211）B[J].电子材料快报,1995(11):17-18.
8日亚发布“全球最高水平”的蓝紫色半导体激光器和蓝色半导体激光器[J].光机电信息,2008(1):55-56.
9李国正,刘淑萍.P-Ge_(0.05)Si_(0.95)/P-Si异质结的I-V特性和光响应[J].固体电子学研究与进展,1997,17(1):26-29.
10李文连.EL蓝色荧光体[J].发光快报,1995,16(3):29-33.

光机电信息

2005年第8期

浏览历史

内容加载中请稍等...

夏普蓝紫激光器室温连续振荡获成功

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史