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快速GaAs光控微波开关参量的研究

High-Speed Optoelectronic Ga As Microstrip Switch Parametric Analysis
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摘要 本文对GaAs衬底边缘照射微带线型光控微波开关进行了开关的结构参数设计,对开关的插入损耗和隔离度进行分析计算,并进一步讨论了频率响应及其光脉冲能量对开关隔离度的影响。 This paper designs the formation parameters of the high-speed opto-electronic GaAs microstrip switching controlled by a pulse-Operated laser dliode via substrate-edge excitation.Insertion loss and isolation with the switch are studiedfrequecy response and influencing the switching isolation with varying opticat pulse energies are discussed.
机构地区 东南大学
出处 《光电子.激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第1期20-25,共6页 Journal of Optoelectronics·Laser
关键词 砷化镓 光控微波开关 开关隔离度 formation parameters,characterization computation,frequecy response,optical variability.
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