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红外技术在硅基半导体材料微体缺陷测试中的应用 被引量：1

Application of IR Technique in Detecting the Microdefects in Siliconbased Materials
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摘要 提出了一种应用Ｍｉｅ氏散射理论，根据硅基半导体材料的红外透射特性，使用红外激光和红外ＣＣＤ摄像机来测试其体缺陷的方法，并给出了实验装置示意图。 Awarding to Mie theory that light scattening by micrometet-sized particles have somerpedl characters, a method of measuring bulk defer in siliconbed material has ho propose.The instrument includes an IR laSer and IR CCD camers.
作者 尤政 杨韧 胡庆英 罗维国 陈军
机构地区 清华大学精密仪器系
出处 《红外技术》 CSCD 1996年第3期37-40,共4页 Infrared Technology
基金 国家自然科学基金
关键词 Mie氏散射 红外无损检测 体缺陷 硅 Mie theory IR inspedon Bulk defer Scanning tomography Contrast
分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] TN210.6 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

同被引文献16

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引证文献1

红外技术
1996年 第3期

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