半导体中深能级瞬态的高速采集与处理系统
-
1陈诺夫,张若愚,华庆恒.MOS结构深能级瞬态谱的测试与分析[J].固体电子学研究与进展,1992,12(2):152-156. 被引量：1
-
2龚大卫,孙恒慧.光电流瞬态谱中半绝缘砷化镓的EL2峰的研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(11):659-663. 被引量：2
-
3半导体技术[J].中国无线电电子学文摘,1994(2):33-44.
-
4陆昉,袁健,龚大卫,孙恒慧.计算机控制的高分辨率光生电流瞬态谱[J].复旦学报（自然科学版）,1992,31(2):175-183.
-
5丁孙安,许振嘉.硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响[J].红外与毫米波学报,1993,12(5):392-396. 被引量：1
-
6刘达清,陶长远,张光寅.用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级[J].红外与激光技术,1995,24(5):23-29. 被引量：1
-
7杨锡震,陈枫,封松林.InAs/GaAs自组织量子点的DLTS谱[J].发光学报,1997,18(4):357-359. 被引量：1
-
8彭承,陆叶华,孙恒慧,唐文国,李自元.MOCVD生长CdTe薄层的缺陷研究[J].Journal of Semiconductors,1993,14(3):181-184.
-
9邓小社,梁亚楠,贾利芳,樊中朝,何志,张韵,张大成.AlGaN/GaN功率器件缓冲层陷阱的分析方法[J].半导体技术,2016,41(9):649-657.
-
10王忠烈.高功率脉冲激光致硅表面氧的退吸研究[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1984,20(4):47-53.
;
