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40Gb/s PIN波导型光探测器联体式管芯的设计与制作

The Design and Fabrications of The Dies With a Link-Body Type of 40Gb/s PIN Wave-guide Photodetectors
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摘要 报道了40Gb/sPIN波导型光探测器联体式管芯的设计与制作。通过光刻、化学腐蚀、电子束蒸发、增强型化学汽相淀积、金属剥离、解理等工艺技术,制作了40Gb/sPIN波导型光探测器管芯。 The design of the dies of 40Gb/s PIN wave-guide photo-detectors with a linked-body type have been reported in this paper. The dies of 40Gb/s PIN Wave-guide Photodetectors have been fabricated used the technologies of the photography, chemical etching, reaction-ion etching (RIE),electron-beam evaporation, PECVD,film-plating, final optical fiber couple,etc..
作者 丁国庆
出处 《光通信技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期4-7,共4页 Optical Communication Technology
关键词 PIN波导型光探测器 共面波导 光刻 PIN wave-guide photo-detectors CWP photography
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参考文献1

  • 1John E Bowers and Charles A.Burrus.Ultrawide-Band Long-Wavelength P-I-N Photodetectors.J.of Lightwave Technology,1987,LT-5.10:1339-1350.

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