摘要
电力电子器件既是电力电子技术的基础,也是电力电子技术发展的强大动力,电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的。IGBT是在功率MOSFET工艺基础上发展起来的产物,它是兼有MOSFET的高输入阻抗、高开关速度和GTR大电流密度特性优点的混合器件,在大、中功率应用场合已经逐步取代传统的GTR、GTO器件,它和MOSFET、MCT一起,成为现代电力电子技术中最具活力的功率开关器件。本文着重介绍IGBT——绝缘栅双极晶体管的基本构造及导电机理,并从它的基本构造出发了解IGBT的锁定问题,同时探讨IGBT在使用中的某些问题,最后简要地介绍一下功率集成电路PIC。
