摘要
着重描述了新型莫来石材料的性能、工艺方面的进展情况,探讨了新的封装结构对封装性能的影响,最后得到的封装外壳可很好地满足GaAs超高速集成电路的封装要求。
In this paper the characteristics and processes of new mullite materials are described.The influences of the Packaging structures on packging property are discussed. The packages for 500~1000 gates GaAs IC have been achieved.
出处
《半导体情报》
1996年第4期38-41,共4页
Semiconductor Information
基金
国家自然科学基金
关键词
集成电路
封装
新型莫来石材料
砷化镓
Packages for UHS GaAs Ics
New mullite materials
Packaging structure