超晶格的沟道背散射分析
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1李仪,宋航,曹望和,李菊生,金亿鑫,如菲,孟鸣岐,刘向东.氧和铒共注入硅的卢瑟福背散射和发光研究[J].发光学报,1996,17(4):346-350.
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2张通和,李国辉,阎凤章,罗晏,吴瑜光,王文勋.离子注入白光退火技术和浅结工艺的研究[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1987,23(3):41-48. 被引量：1
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3罗晏,唐景庭,李雪春,卢志恒.LC-14型强流氧注入机注入均匀性的背散射分析报告[J].北京师范大学学报（自然科学版）,2002,38(2):204-207.
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4张兆林,张建华,刘吉田,刘向东,卢居新,于小亭,李金华.离子注入的^(75)As在SiO_2薄膜中的射程参数[J].山东大学学报（自然科学版）,1997,32(4):472-476.
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5王大椿,朱光华,卢殿通,卢志恒,郑胜男,赵玉华.用背散射方法研究砷离子注入单晶硅的分布和热退火后的再分布[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1983,19(2):57-62. 被引量：1
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6来永春,王大椿,张通和,罗晏,沈京华,林振金,谢葆珍,刘有宝,卢英华,边江.离子注入多晶Si浅结工艺在双极集成电路中的应用[J].北京师范大学学报（自然科学版）,1986,22(3):44-53.
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7邢艳辉,韩军,邓军,李建军,沈光地.淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究[J].物理学报,2009,58(4):2644-2648.
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8吴瑜光,张通和,沈定予.多电荷Cr离子注入聚合物的微观结构和离子浓度分布[J].北京师范大学学报（自然科学版）,2000,36(6):765-768. 被引量：4
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9黄宁康.双离子束技术沉积锆氧化物薄膜及其背散射分析[J].原子能科学技术,1995,29(1):15-19.
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10张通和,吴瑜光.掠角沟道和背散射分析钇离子注入硅合成硅化钇的结构[J].核技术,1995,18(10):577-583. 被引量：2
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