摘要
通过对负斜角造型晶闸管结构特性及正向阻断状态的细致分析，提出了一维体内多结电流增益及雪崩倍增共同作用，终端区仅考虑单结雪崩倍增作用的不同击穿模式。经数值计算表明，在长基区宽度优化控制时，负角终端击穿模式所决定的击穿电压可高于体内击穿模式所决定的击穿电压，正反向击穿皆起始于体内，从而脱离了表面所强加的限制，取消了正反向耐压的不对称性，去掉了多余的长基区。在这样的理论设计下制造出性能参数可控且高度协调，并可与国际标准接轨的晶闸管．
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1996年第1期62-66,共5页
Power Electronics
