键合工艺参数对SDB片界面机械特性的影响被引量：3

The Effects of Bonding Technology Parameter on Mechanical Property of the SDB Wafer Boundary

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摘要从硅片的清洗、亲水处理、预键合及健合气氛等几个方面研究了工艺参数对ＳＤＢ片界面机械特性的影响．

作者王海军叶挺秀刘宏岩钱照明

机构地区浙江大学

出处《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第1期67-70,共4页 Power Electronics

基金国家自然科学基金浙江省自然科学基金

关键词电力半导体器件硅片机械特性半导体器件

同被引文献9

1何国荣,陈松岩,谢生.Si-Si直接键合的研究及其应用[J].半导体光电,2003,24(3):149-153. 被引量：6
2陈新安,黄庆安,李伟华,刘肃.硅/硅直接键合的界面应力[J].微纳电子技术,2004,41(10):29-33. 被引量：6
3詹娟.直接键合硅片的亲水处理[J].半导体技术,1994,10(6):54-56. 被引量：4
4王彩琳,高勇,张新.硅直接键合(SDB)技术在新型电力电子器件应用中的新进展[J].电子器件,2005,28(4):945-948. 被引量：3
5TONG Q Y, GOSELE U. Semiconductor wafer bonding [M]. New York: John Wiley & Sons, 1998.
6STONEY G G. The tension of metallic films deposited by elec- trolysis [J]. Proceedings of the Royal Society of London, 1909, 553 (82): 172-175.
7何进,王新,陈星弼.硅-硅直接键合界面上SiO_2的非稳定性[J].电子科技大学学报,1999,28(5):494-497. 被引量：2
8陈颖慧,施志贵,郑英彬,隆艳,王旭光.不同键合温度对低温硅-硅共晶键合的影响[J].微纳电子技术,2013,50(9):576-580. 被引量：8
9林长贵,崔吾元,罗晋生.硅/硅直接键合制备p^+/n^-和n^-/n^-结构[J].微电子学,1992,22(5):39-41. 被引量：1

电力电子技术

1996年第1期

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