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浅结高压器件终端场分析与实验
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摘要
采用二维有限元数值分析法,开发出用于反向偏置pn结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、SiO2介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法,并以三环浅结带场板终端为例,给出部分模拟实例。
作者
弓小武
高玉民
罗晋生
机构地区
西安交通大学
出处
《电力电子技术》
CSCD
北大核心
1996年第2期71-74,共4页
Power Electronics
关键词
电力半导体器件
终端
数值计算
分类号
TN37 [电子电信—物理电子学]
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