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浅结高压器件终端场分析与实验

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摘要 采用二维有限元数值分析法,开发出用于反向偏置pn结分析的模拟软件。它可以模拟与反向耐压有关的终端浅结场环、场板、SiO2介质及界面态。本文介绍了模拟所采用的物理模型和模拟方法,并以三环浅结带场板终端为例,给出部分模拟实例。
机构地区 西安交通大学
出处 《电力电子技术》 CSCD 北大核心 1996年第2期71-74,共4页 Power Electronics
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