非晶态半导体载流子的漂移迁移率
出处
《绥化学院学报》
2005年第5期183-184,共2页
Journal of Suihua University
基金
黑龙江省自然科学基金项目
项目编号:A04-12。
二级参考文献1
-
1刘恩科等.半导体物理学[M]国防工业出版社,1984.
-
1谢苏龄,郝忠秀.论导体载有稳恒电流时的电荷分布[J].物理通报,1994(2):9-11.
-
2齐吉泰,于长兴.非晶态半导体的电学特性分析[J].绥化师专学报,2004,24(2):141-142. 被引量:1
-
3娄志东,徐征,徐春祥,于磊,滕枫,徐叙.电致发光加速层二氧化硅的电子高场迁移率[J].物理学报,1998,47(1):139-145. 被引量:9
-
4秦国刚.晶态半导体中氢的行为[J].固体电子学研究与进展,1989,9(4):375-377.
-
5施伟华,陈坤基,杜家方,李志锋.氢化非晶硅光电导研究中的新现象[J].南京大学学报(自然科学版),1995,31(1):20-24.
-
6华杰,常喜,张英平,汪津.数理方程在半导体载流子扩散运动中的应用[J].廊坊师范学院学报(自然科学版),2015,15(5):43-44.
-
7李志锋,陆卫.氮化镓薄膜中LO声子-等离子体激元耦合模拉曼光谱研究[J].红外与毫米波学报,2003,22(1):8-12. 被引量:6
-
8曹雄涛,华宏星.流体作用下正交各向异性圆锥壳的自由振动[J].振动与冲击,2011,30(11):95-100. 被引量:4
-
9林鸿溢.非晶态半导体的进展[J].材料导报,1993,7(2):30-35. 被引量:8
-
10林江,张溪文,韩高荣.大气压非平衡等离子体沉积氧化硅薄膜[J].材料科学与工程学报,2012,30(2):241-244. 被引量:4