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一种霍尔传感器倍频特性的实验观测及应用

Experiment Obserrvation & Applications of Frequency Doubling Characteristics of a Hall Sensor
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摘要 基于文献[1]对锑化铟传感器磁阻特性非线性区域的研究结果,通过实验手段验证其结论之一———倍频效应,并应用此特性实现低音声频段上音质的相对改善. This paper verifies through experiments a conclusion of the study on magnetic resistance characteristics of the InSb sensor in nonlinear areas , frequency doubling effect,and uses this effect to realize relative improvement on sound quality of low-frequency sounds .
作者 尚倩 曹新亮
出处 《菏泽学院学报》 2005年第2期30-32,共3页 Journal of Heze University
基金 延安大学信号 测量与控制实验室重点实验室资助项目.
关键词 锑化铟磁阻器件 倍频效应 低音信号 InSb magnetic resistance sensor frequency doubling effect low-frequency sound siginal
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献2

  • 1Seeger K.半导体物理学[M].北京:人民教育出版社,1980..
  • 2Honeywell公司.固态传感器产品说明书[M].,1999.45-50.

共引文献8

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