在HBr等离子体中加工的InAlAs／InGaAsHFET内RIE诱发的损伤
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3刘家璐,张廷庆,刘华预,王清平,叶兴耀.HBr反应离子刻蚀硅深槽[J].微电子学,1995,25(4):39-44. 被引量：1
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