使用电子束印刷和CAIBE在AlGaSb／InAs上制作纳米结构
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1翟文生,翟树礼.碲镉汞材料的离子束蚀刻研究[J].红外与激光技术,1989,18(4):1-5.
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2张建民.半导体单晶硅的离子束蚀刻实验研究[J].陕西师大学报（自然科学版）,1992,20(4):85-86.
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3赵光兴,杨国光.离子束蚀刻微透镜中蚀刻深度允许误差的研究[J].光学学报,1999,19(1):113-116. 被引量：6
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4张新宇,汤庆乐,张智,易新建,裴先登.用光刻及离子束蚀刻技术制作DNA芯片模版[J].强激光与粒子束,2002,14(1):129-133. 被引量：5
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5豫民.利用氯的RIBE和CAIBE中的等离子体特性[J].等离子体应用技术快报,1999(7):19-20.
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6林慧,张立超,金春水,周洪军,霍同林.Fabrication and efficiency measurement of a multilayer-coated ion-beam-etched laminar grating for extreme ultraviolet region[J].Chinese Optics Letters,2009,7(3):180-182. 被引量：4
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7邓志杰（摘译）.在Si衬底上生长高性能Ⅲ-V族器件[J].现代材料动态,2007(8):11-12.
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8张建民,王国瑞.离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌研究[J].陕西师大学报（自然科学版）,1991,19(1):89-90.
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9张建民,傅新定.离子束蚀刻硅片沟槽台阶形貌——凹沟现象的研究[J].表面技术,1989,18(5):43-46.
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10张殿文,卢振武,曹召良,李凤友,赵晶丽,裴舒,刘玉玲,王肇圻.蚀刻表面面形的分析[J].光子学报,2002,31(7):887-893. 被引量：3
