IGBT技术现状及发展趋势

IGBT是新型电力电子器件的主流器件之一，国外IGBT已发展到第三代。IGBT在设计上将MOs和双机型晶体管结合起来，在性能上兼有双极型器件压降小、电流密度大和MOS器件开关快、频率特性好的双重优点：在制造业上、在高电压、大电流的晶闸管制造技术基础上采用了集成电路微细加工技术。目前国外生产IGBT的公司有：日本的三菱、东芝、富士、日立；美国的IR、IXYS、SGS、THOMSONS、MOTOROLA；德国的西门子等。