三维(3D)互连校准型晶圆片压焊技术
摘要
本文对有发展前途的三维(3D)技术平台进行简要回顾,说明采用校准型晶圆片压焊技术的晶圆片级三维(3D)集成。重点强调了胶粘剂晶圆片压焊技术,分别叙述了3D集成、校准型晶圆片压焊、多芯片互连、晶圆片校准和晶圆片级3D ICs的关键性问题,并对所获得的结果进行综述。
出处
《集成电路应用》
2005年第10期42-45,共4页
Application of IC
参考文献7
-
1J.Q. Lu et al, "Wafer Level 3-D Hyper-Integration," 20th Intl. VLSI Multilevel Interconnection Conf.,September 2003, p. 227.
-
2R.J. Gutmann et al., "A Wafer-Level 3-D IC Technology Platform," Advanced Metallization Conf.,October 2003, p. 19.
-
3J.Q. Lu, "Wafer-Level 3-D Hyper-Integration Processing Technology," 3-D Technology, Modeling and Process Symp., April 2004.
-
4P. Morrow et al., "Wafer-Level 3-D Interconnects Via Cu Bonding," Proc. of Advanced Metallization Conf., 2004.
-
5A. Klumpp et al., "Integration Technologies for 3-D Systems," Intl. Workshop of 3-D System Integration, December 2003.
-
6J.Q. Lu et al., "Dielectric Glue Wafer Bonding and Bonded Wafer Thinning for Wafer-Level 3-D Integration," Semi. Wafer Bonding Ⅶ: Science, Technology, and Applications, 2003, ECS PV 19, p. 76.
-
7电子封装技术丛书编委会编.《微电子封装技术手册》,中国科学技术大学出版社,2003年,合肥,P290~297.
-
1王学军,张彩云.基于先进封装的铜柱凸块技术[J].电子工艺技术,2017,38(2):99-101. 被引量:4
-
2李秀清,葛新霞.BGA封装技术研究[J].半导体情报,2000,37(4):18-22. 被引量:5
-
3孔学东,恩云飞.超大规模集成电路中的可靠性技术应用与发展[J].电子产品可靠性与环境试验,2001,19(2):2-5. 被引量:3
-
4潘博.关于加强电源维护管理的几点思考[J].辽宁行政学院学报,2006,8(7):63-64.
-
5杨晓峰.试论有线电视技术的发展趋势[J].管理观察,2013(1):162-163.
-
6刘文俊.高密度高性能电子封装技术[J].微电子技术,1998,26(2):1-14. 被引量:2
-
7Philip Garrou.前进中的晶圆级3D集成[J].集成电路应用,2007,24(3):66-68.
-
8王隆刚,李桂祥,杨江平.基于边界扫描技术的VLSI芯片互连电路测试研究[J].计算机测量与控制,2003,11(4):247-249. 被引量:5
-
9信产部官员透露3G发展4重点强调终端地位[J].通信业与经济市场,2005(6):8-9.
-
10王明涛,何君.3D集成技术在尖端领域的应用及其发展趋势[J].半导体技术,2013,38(5):328-332. 被引量:6