等离子增强化学汽相淀积氮氢化硅混合膜及其组成
被引量：2
同被引文献8
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1马青松 杨辉 等.-[J].硅酸盐通报,1998,:220-220.
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2周海 吴大兴 等.-[J].硅酸盐学报,1997,25(4):489-489.
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3马青松，硅酸盐通报，1998年，4卷，增刊，220页
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4杨迪，显微硬度试验，1988年，23页
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5Wang Chenyu，J Non Cryst Solids，1982年，52卷，589页
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6马青松，硅酸盐通报，1998年，增刊，220页
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7周海,吴大兴,杨川,高国庆.DC-PCVD法快速制备Si_3N_4薄膜[J].硅酸盐学报,1997,25(4):489-493. 被引量：5
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8憨勇,刘正堂,郑修麟.化学气相沉积制备ZnS块材料均匀性的研究[J].硅酸盐通报,1998,17(4):15-18. 被引量：5
引证文献2
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1余京松,钱晓倩,马青松,葛曼珍,孟祥森,杨辉.APCVD法SiH_4-NH_3-CO_2系统制备氧氮玻璃薄膜的研究[J].硅酸盐学报,1999,27(3):365-369. 被引量：5
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2葛曼珍,马青松,杨辉,吴福静.常压CVD法制备Si-N-O薄膜及其电性能[J].材料科学与工程,1999,17(2):18-19.
二级引证文献5
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1孟祥森,宋晨路,余京松,葛曼珍,杨辉.低温APCVD法制备氮化硅薄膜[J].陶瓷学报,1999,20(3):119-122. 被引量：11
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2魏文霖,孟祥森,袁骏,杨辉,葛曼珍,季振国.SiON薄膜中氢的研究[J].材料导报,2000,14(3):48-49. 被引量：1
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3孟祥森,马青松,葛曼珍,杨辉.常压化学气相沉积法氮氧化硅薄膜性能的研究[J].硅酸盐通报,2000,19(2):19-21.
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4杨辉,丁新更,孟祥森,马青松,葛曼珍.APCVD制备氮化硅薄膜的微观结构[J].功能材料,2000,31(6):635-636. 被引量：3
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5部芯芯,周炳卿,丁德松.氮气对PECVD制备氮化硅薄膜结构与性质的影响[J].内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）,2017,46(3):350-353. 被引量：3
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1戴永红.先进的等离子增强化学汽相淀积系统[J].微电子学,1995,25(4):52-56.
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2钱龙生,缪同群,吴宝申,叶祥云,任兵,金天峰,朱秀芳,李秀玉,袁幼心.TiO_2和ZnS混合膜的结构和热光非线性性质(英文)[J].光学机械,1992(1):126-132.
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3刘德中,罗兴华,张伟,王季陶.等离子增强化学汽相淀积a-SiC:H簿膜的AES研究[J].Journal of Semiconductors,1989,10(11):859-864.
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4李世彬,吴志明,李伟,于军胜,蒋亚东,廖乃镘.氢化硅薄膜的晶化机理研究[J].物理学报,2008,57(11):7114-7118. 被引量：5
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5成福康.采用等离子增强TEOS工艺淀积硅氧化层[J].微电子学,1990,20(4):71-71.
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6李爱珍,沈兆友.等离子淀积工艺对氮氧化硅混合膜组份的影响[J].薄膜科学与技术,1990,3(2):29-34. 被引量：1
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8周均,Hille.,U.PECVDSiO_2和SiON薄膜的工艺优化及其应用[J].微电子学,1995,25(5):8-13.
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9蒋向东,张怀武,黄祥成.激光高反射膜的研究[J].应用光学,2003,24(1):25-27. 被引量：8
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10李光元,蔡琳,肖峰,徐安士.Plasmonic Corrugated Horn Structure for Optical Transmission Enhancement[J].Chinese Physics Letters,2009,26(12):122-124. 被引量：1
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