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多孔硅的形成与电流电压特性研究

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摘要 本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用SEM观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Si-HF系统的电流-电压特性。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第1期50-54,共5页 Semiconductor Technology
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参考文献3

二级参考文献8

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