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多孔硅的形成与电流电压特性研究
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摘要
本文在很宽的导电范围内采用阳极氧化方法形成多孔硅。用SEM观测了多了孔硅形貌、性质与腐蚀时间的关系。研究了四种不同掺杂的Si-HF系统的电流-电压特性。
作者
沈桂芬
黄和鸾
王正荣
高博静
刘岩
郭兴加
机构地区
辽宁大学电子科学与工程系
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第1期50-54,共5页
Semiconductor Technology
关键词
多孔硅
阳极氧化
量子限制效应
电流-电压特性
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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