反应室结构与工艺参数对光CVDSiO2薄膜均匀性的影响
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3景俊海,孙青,孙建诚.UV-Hg灯光化学气相淀积SiO_2薄膜的工艺研究[J].半导体技术,1989,5(5):40-43. 被引量：2
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6汪师俊,蔡琪玉,沈天慧.光化学气相淀积氮化硅的工艺及其应用研究——(Ⅲ)光CVD氮化硅薄膜应用于提高器件可靠性[J].微电子学与计算机,1993,10(9):1-3.
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7李支文,冯蕴道,崔宇平,沈瑜生.MO-PECVD SnO_(2-x)气敏薄膜[J].功能材料,1993,24(2):123-128. 被引量：1
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9胡孝勇.激光化学气相淀积金刚石薄膜的气相反应过程研究[J].光电子．激光,1997,8(A10):84-84.
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10王永发,张世理,周庆,王季陶.化学气相淀积硅化钨体系热力学研究[J].电子学报,1989,17(3):14-18. 被引量：1
