摘要
在Daisy系统上设计出通用性强、使用方便的SOI门阵列母版及门阵列电路,并采用1.5μmCMOS/SOI工艺在薄膜全耗尽SIMOX材料上得以实现,其中包括多种分频器电路和环形振荡器,环振可工作在2.5V,门延迟时间在5V时为430ps。
SOI gate array is designed in Daisy Design System and developed on thin film fully depleted SIMOX materials in 1.5μm CMOS/SOI technology.Some frequency dividers and ring oscillators are built on it.The propagation delay time is 430ps.We find that the gate array can work perfectly at Vdd=2.5V.
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期46-49,共4页
Acta Electronica Sinica