沈文忠课题组研制出具有高电子迁移率的纳米硅薄膜

下载PDF

导出

摘要据1987年Phys.Rev.报道,纳米硅薄膜(nc-Si:H)是从上世纪80年代末兴起的一种新型人工功能纳米半导体材料.中国科学(A辑)记载,沈文忠课题组早在1992年已正式研制出来,指出它是一种具有高电导性、室温电导率高达10-1 Ω-1·cm-1,比本征单晶硅高出103倍.

作者何宇亮施毅

机构地区南京大学物理系

出处《微纳电子技术》 CAS 2005年第11期535-536,共2页 Micronanoelectronic Technology

关键词纳米硅薄膜高电子迁移率课题组纳米半导体材料室温电导率中国科学高电导性 REV 单晶硅

1聚焦用户专注创新[J].办公自动化,2014(8):28-28.
2安捷伦科技在2013年中国科学仪器发展年会获奖[J].办公自动化（办公设备与耗材）,2013(5):61-61.
3中国科学家制出柔性碳纳米管“扬声器”[J].化工新型材料,2008,36(12):108-108.
4费保俊,季诚响,费明冰,张绍先.复合导线高电导性的实验及其应用前景[J].装甲兵工程学院学报,1997,11(3):18-22.
5费保俊,张绍先,陈正宏.复合导线高电导特性的机理分析[J].装甲兵工程学院学报,1997,11(1):11-15.
6曹镛,彭俊彪,黄飞.前言[J].中国科学：化学,2013,43(11):1381-1382.
7黄辛.《中国科学报》:复旦大学制备出效率达18.97%黑硅太阳能电池[J].复旦学报（自然科学版）,2016,55(5):659-659.
8长春光机所研制出高性能微米线日盲紫外探测器[J].红外,2015,36(8).
9李杨超,张铭,董国波,赵学平,严辉.CuCr_(1-x)Mg_xO_2(0≤x≤0.09)薄膜的光电性能[J].中国有色金属学报,2010,20(5):898-902. 被引量：6
10彩色等离子体平板显示用荧光粉浆料通过鉴定[J].军民两用技术与产品,2006(12):17-17.

微纳电子技术

2005年第11期

浏览历史

内容加载中请稍等...