VIP50工艺技术为后盾 NS大幅提升各种放大器性能

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摘要 VIP50工艺是美国国家半导体(NS)独家专有的全新绝缘硅(SOI)BiCMOS工艺技术,VIP50的晶体管都装设于SOI圆片之上,然后以沟道互相隔离.这种隔离设计可将寄生电容减至极少,并可大幅提高放大器的带宽/功率比.其工艺优点是可以确保放大器芯片能在0.9V～12V之间的供电电压范围内操作.

作者宫丽华

出处《电子测试（新电子）》 2005年第10期86-86,共1页 Micro-Electronics

关键词 VIP50工艺绝缘硅放大器芯片供电电压增益带宽积

分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]

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电子测试（新电子）

2005年第10期

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