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国军标器件3DG135的可靠性研究
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摘要
较详细地叙述了3DG135在可靠性研究过程中,技术攻关的主要内容及所采取的工艺措施,并给出三个检验批次认证的实验结果。
作者
崔恩录
穆杰
王于辉
秦仲波
机构地区
石家庄电子工业部第十三研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期16-18,共3页
Semiconductor Technology
关键词
国军标
硅超高频晶体管
半导体器件
可靠性
分类号
TN306 [电子电信—物理电子学]
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