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阳极短路GTO制造工艺的研究
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摘要
阳极短路型门极可关断(GTO)晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明,短路区的制作可以用先选择性扩散N+层,然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制,以调节短路电阻,从而获得电特性的优化。
作者
聂代祚
机构地区
西安理工大学
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期33-34,共2页
Semiconductor Technology
关键词
GTO
短路区
选择扩散
晶闸管
制造工艺
分类号
TN340.5 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
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