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阳极短路GTO制造工艺的研究

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摘要 阳极短路型门极可关断(GTO)晶闸管制造技术的关键工艺是短路区的制作。实验证明,短路区的制作可以用先选择性扩散N+层,然后再扩散镓的方法来实现。通过扩散工艺的精确控制,以调节短路电阻,从而获得电特性的优化。
作者 聂代祚
机构地区 西安理工大学
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期33-34,共2页 Semiconductor Technology
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