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大功率晶体管(GTR)工艺的计算机模拟

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摘要 针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺,对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管(GTR)的三重扩散工艺进行了模拟,结果与实验吻合很好。此外,在模拟中将离子注入引入GTR工艺,对改进GTR工艺具有一定的参考价值。
出处 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期37-39,共3页 Semiconductor Technology
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