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大功率晶体管(GTR)工艺的计算机模拟
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摘要
针对集成电路工艺模拟中的扩散模型不适宜大功率器件工艺,对模型作了适当修正。在此基础上对大功率晶体管(GTR)的三重扩散工艺进行了模拟,结果与实验吻合很好。此外,在模拟中将离子注入引入GTR工艺,对改进GTR工艺具有一定的参考价值。
作者
高勇
高彦明
陈治明
机构地区
西安理工大学微电子技术教研室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1996年第2期37-39,共3页
Semiconductor Technology
关键词
大功率晶体管
工艺
模拟
杂质分析
GTR
分类号
TN323.4 [电子电信—物理电子学]
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半导体技术
1996年 第2期
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