电子束蒸发二氧化硅薄膜在Si／Si_（1－x）Ge_x　HBT中的应用研究

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摘要本文介绍了电子束蒸发二氧化硅薄膜的工艺方法，影响蒸发二氧化硅薄膜质量的因素，以及用于Ｓｉ／Ｓｉ１－ｘＧｅｘＨＢＴ的结果。

作者邹德恕陈建新沈光地张时明邓军

机构地区北京工业大学电子工程系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第2期42-43,共2页 Semiconductor Technology

关键词硅 HBT 异质结应变层折射率电子束

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半导体技术

1996年第2期

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