飞兆半导体的1200V NPT沟道IGBT抗雪崩能力佳
出处
《电子与电脑》
2005年第11期31-31,共1页
Compotech
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1分立器件[J].世界电子元器件,2005(12):91-91.
-
2意法半导体推出开关电源用PowerHESH绝缘栅双极晶体管[J].电力电子,2005,3(2):7-8.
-
3王志和.光纤连接器损耗性能[J].文献快报（纤维光学与电线电缆）,1992(12):13-17.
-
4ST绝缘栅双极晶体管能降低开关电源损耗[J].国际电子变压器,2005(5).
-
5意法半导体(ST)推出开关电源用PowerMESH绝缘栅双极晶体管[J].电子与电脑,2005,5(5):38-38.
-
6王双红,冯菁.IGBT的并联运行分析[J].电工技术,2002(8):22-23. 被引量：1
-
7高可靠个生无焊压装IGBT的重要进展[J].变频器世界,2004(10):124-125.
-
8飞兆半导体推出1200V／15A NPT-Trench IGBT[J].中国集成电路,2006,15(8):7-8.
-
9王曼英,邱润之.系统寿命方差的研究[J].南京邮电学院学报,1993,13(3):87-92.
-
10金丹,孙可为.铁硅铝磁粉芯的磁导率和损耗性能[J].材料科学与工程学报,2012,30(4):525-527. 被引量：8
