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c轴取向Bi_4Ti_3O_(12)铁电薄膜的制备与光学性质 被引量:3

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摘要 Bi-4Ti-3O-(12)(BIT)是一种重要的铁电材料,Curie温度为675℃,自发极化矢量位于a-c平面上有两个分量,在外场作用下可以各自独立地反向,且沿c方向矫顽场强很低,为3.skV/cm.开关速度快,抗辐射能力强,抗疲劳特性好.在无外场作用下能保持记忆,具有与半导体工艺集成的潜力.特别是c轴取向的BIT薄膜不仅能作电场记忆,还能实现光记忆,很适合作铁电存储器、电光器件、光存储显示材料,具有广泛的研究开发和应用前景,该材料已成为当今国际上研究的主要材料之一.
出处 《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期277-279,共3页 Chinese Science Bulletin
基金 湖北省教育委员会重点资助项目
  • 相关文献

参考文献2

二级参考文献4

  • 1Chen C,J Am Ceram Soc,1989年,72卷,1495页
  • 2Yi Guanghua,J Appl Phys,1988年,64卷,2717页
  • 3Sun S,Ferro,1990年,108卷,9页
  • 4Chen Chiahong,J Am Ceram Soc,1989年,72卷,8期,1495页

共引文献20

同被引文献7

引证文献3

二级引证文献4

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