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GaAs/Si外延pn结构及其电学、光电和电致发光性质

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摘要 在Si衬底上利用分子束外延法和开放式氯气系统气相外延法依次生长了GaAs外延pn结构.在77~300K温度和10<sup>18</sup>~10<sup>-2</sup>A/cm<sup>2</sup>电流密度范围内,p-n-GaAs-n-GaAs(b)/n-Si结构的伏安特性测试结果表明,正反向电流都具有隧道过剩电流特征.这种结构的光敏电流光谱和电致发光谱具有典型的p-n-GaAs结构特性,注入电致发光特性也具有典型的带间载流子辐射复合过程的光谱.
作者 管玉国
出处 《半导体杂志》 1996年第2期10-11,共2页
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