汽车硅整流二极管△U_F的探讨

Discussion on △U_F of Automobile Silicon Rectifier Diode

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摘要介绍汽车硅整流二极管△UF的由来,详细阐述实验中影响△UF值的各项因素及降低△UF的方法。 The origin of △UF of automobile silicon rectifier diode is introduced here. The factors to affect △UF. in experiments and the way to reduce△UF are also expounded,

作者樊晓玲周立敬樊守庭

机构地区徐州整流汽车元件有限公司浙江博星电子有限公司

出处《汽车电器》 2005年第12期9-10,共2页 Auto Electric Parts

关键词硅整流二极管 △UF 参数 silicon rectifier diode △UF parameter

分类号 TN111 [电子电信—物理电子学]

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1王友,卢华,张滨秋,李开富.硅整流二极管的可靠性评价[J].黑龙江电子技术,1996(2):43-45.
2凌炜,姚天宝.3千安1千伏硅整流二极管[J].电机电器技术,1991(4):4-5.
3刘庆.掺氯扩散工艺在硅整流二极管上的应用[J].半导体技术,1994,10(1):58-58.
4杭德生.提高小体积大电流塑封硅整流二极管可靠性的途径[J].电子产品可靠性与环境试验,1989(3):51-55.
5潘璋.硅整流二极管塑封后反向特性变化原因的讨论[J].上海半导体,1993(1):15-17.
6汪涛.金属清洗剂在塑封硅整流二极管生产中的应用[J].半导体技术,1989,5(4):22-22.
7万理军,郭兴龙,潘衡,徐风雨.硅整流二极管组件低温性能测试[J].低温与超导,2009,37(4):14-16.
8邱东,邹德慧.基于CFBR-Ⅱ堆中子辐射场的硅整流二极管辐照效应试验研究[J].核动力工程,2010,31(1):127-130. 被引量：5
9岳辰云,窦云轩.大功率整流二极管基片以可伐代钼的研究[J].价值工程,2017,36(4):88-89.
10陈思哲,盛况.4700V碳化硅PiN整流二极管[J].电工技术学报,2015,30(22):57-61. 被引量：10

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