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Ramtron非易失性串行FRAM具备20MHz无延迟写能力
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摘要
Ramtron International公司推出256Kb非易失性FRAM内存FM25256。该器件带有串行外围接口（SPI），可实现20MHz无延迟写操作，并可无限次数读／写，工作电压为4．0～5．5V，兼容标准串行EEPROM。
出处
《电子元器件应用》
2005年第11期138-138,共1页
Electronic Component & Device Applications
关键词
串行外围接口
FRAM
非易失性
International公司
延迟
串行EEPROM
能力
工作电压
写操作
内存
分类号
TP334.7 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
TP333 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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