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IR推出新型DirectFET HOSFET有效降低高达30%的导电损耗

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摘要世界功率管理技术领袖国际整流器公司（IR）近日推出一款新型60V DirectFET功率MOSFET—IRF6648。该器件的最大导通电阻为7．0m（VGS=10V），导电损耗可比同类解决方案减少30％。

出处《电源技术应用》 2005年第11期I0010-I0010,共1页 Power Supply Technologles and Applications

关键词 DIRECTFET 电损耗功率MOSFET 国际整流器公司 IR 管理技术导通电阻器件

分类号 TN432 [电子电信—微电子学与固体电子学] TQ174.13 [化学工程—陶瓷工业]

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电源技术应用

2005年第11期

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