SiGe晶体的生长和基本性质

Si-Ge（SixGe1-x或Ge1-xSix）合金是一种金刚石结构的可完全互溶的固溶体材料。利用能带工程和晶格常数工程，它在微电子和光电子器件应用方面一直受到广泛关注，作为这些应用，Si-Ge合金一般是在Si衬底上外延生长其薄膜材料。Si-Ge晶体材料可用于光探测器、热（电）器件、X射线和中子单色仪、太阳电池，也可代替Si作为生长SiGe薄膜的晶格匹配衬底。已有若干研究组采用不同工艺生长出SiGe合金单晶。本作者试图用直拉（CZ）法在整个组分范围（0〈x〈1）内生长大尺寸SiGe单晶，且已成功生长出组分范围（0〈x〈0．15，0．85〈x〈1）的大尺寸SiGe单晶，也生长出用于热电器件的重掺杂SiGe单晶。