用电化学C－V技术研究Ga　In　P／GaAs异质结界面特性被引量：1

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摘要本文用电化学Ｃ－Ｖ剖面技术研究了接近器件结构的ｎ－ｎＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｐ／ＧａＡｓ同型异质结的界面特性，测量了载流子浓度分布，用多项式逐段拟合的方法，计算得到异质结界面电势差ＶΦ为４９１ｍｅＶ，界面固定电荷σ为－４．４６×１０１１ｃｍ－２，并推算出导带差△Ｅｃ为１２６ｍｅＶ，相应于△Ｅｃ＝０．２８△Ｅｇ。

作者朱文珍

机构地区中国科学院半导体所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期56-58,共3页 Semiconductor Technology

关键词异质结界面导带差电化学C-V GAINP 砷化镓

分类号 TN304.052 [电子电信—物理电子学]

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半导体技术

1996年第4期

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